特許
J-GLOBAL ID：200903018213618735
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129641
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321140
出願日： 1994年05月19日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高周波領域で動作する半導体装置の従来の構造を変えること無く特性インピーダンスを整合する電源線を提供する。【構成】 半導体基板1が搭載されたキャビティ部以外の表面に導電性金属層11を形成する。基板周辺部に先端が基板に向うよう固定された複数のリードの先端部又は金属層と基板主面上の電極とをワイヤ35,36で接続する。リードから選んだ電源線34は先端を金属層に接続し、これはワイヤにより主面の電極に接続される。金属層を電源層にして電源系のインダクタンスを低減して、電源系、グランドとの距離を全ての信号線に対し一定として整合を取ることが出来る。
請求項（抜粋）：
集積回路が形成された半導体基板と、主面中央に前記半導体基板が収容されたキャビティ部を備えた基板搭載部と、前記基板搭載部主面の前記キャビティ部以外の表面に形成されている導電性金属層と、前記基板搭載部主面の周辺部に、前記キャビティ部に載置された前記半導体基板に先端が対向するように支持固定された複数のリードと、前記リードの先端部もしくは前記導電性金属層と前記半導体基板主面の接続電極とを接続するボンディングワイヤと、前記半導体基板、前記ボンディングワイヤ及び前記リードの前記先端部を少なくとも被覆するキャップとを備え、電源線を前記リードの中から形成し、この電源線は先端部を前記導電性金属層に電気的に接続し、この導電性金属層は前記ボンディングワイヤによって前記半導体基板の接続電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 301
, H01L 23/04
, H01L 23/50
, H01P 1/00
