特許

J-GLOBAL ID：200903018217836648

光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法

発明者： 廣木 知之 ,  西村 直樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-089402
公開番号（公開出願番号）：特開平8-287537
出願日： 1995年04月14日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 光学系の変更を伴わずに高密度光メモリを実現する。【構成】 3層の磁性層から構成され、中間層のMsを非常に大きくし、室温からキュリー温度まで面内磁化膜となる組成にしておく。中間層Tc以下では中間層、再生層ともに面内磁化膜でマスクとなり、中間層Tc以上の温度では再生層が垂直磁化膜となると共にメモリ層と再生層の交換結合が切れ、メモリ層に蓄積された情報が静磁結合により再生層に転写される。また、再生層の補償温度以上まで再生パワーを上げると、高温部分では再生層の磁区がコラプスしてリアマスクが生じ、ダブルマスク構造となる。

請求項（抜粋）：

少なくとも第一の磁性層と第三の磁性層と第二の磁性層とを、上記の順に基板上に積層して成る光磁気記録媒体に於いて、前記第一の磁性層は室温で面内磁化膜であり、室温より高い温度で垂直磁化膜となり、前記第二の磁性層は垂直磁化膜で、前記第二の磁性層のキュリー温度は前記第一の磁性層のキュリー温度よりも低く、前記第三の磁性層のキュリー温度よりも高く、前記第三の磁性層は室温からキュリー温度まで面内磁化膜であり、前記第三の磁性層のキュリー温度Tc3と等しいまたはTc3よりも高い所定温度Tth以上の温度で、前記第一の磁性層と前記第二の磁性層は静磁結合することを特徴とする光磁気記録媒体。

IPC (3件)：

G11B 11/10 506 ,  G11B 11/10 ,  G11B 11/10 586

FI (3件)：

G11B 11/10 506 U ,  G11B 11/10 506 A ,  G11B 11/10 586 C