特許
J-GLOBAL ID：200903018218913115
成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-142715
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333854
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 簡単な操作によってしかも確実に、処理室内の不必要な付着物や汚染物質等を除去し得る成膜装置を提供する。【構成】 半導体基板に表面被膜を形成するための成膜装置において、成膜処理を行うための処理室1内を、クリーニング用ガスによって洗浄する機構5〜9を備えている。特にクリーニング用ガスは、フッ化水素酸ガスが好適である。処理室1内にフッ化水素酸ガスを導入することにより、処理室1内に堆積した酸化珪素等の付着物15や金属汚染等の汚染物質が分解される。分解された汚染物質は、処理室1から排出され、これにより処理室1を装置から取り外すことなく、洗浄が行われる。【効果】 装置メンテナンスを格段に容易化し、更にこの装置により製造される半導体装置の信頼性を向上させることができると共に、製造歩留りやスループットを向上させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に表面被膜を形成するための成膜装置において、成膜処理を行うための処理室内を、クリーニング用ガスによって洗浄するための機構を備えていることを特徴とする成膜装置。
IPC (2件)：
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