特許

J-GLOBAL ID：200903018223738763

光パルス発生装置

発明者： 田中 英明 ,  鈴木 正敏 ,  松島 裕一
出願人/特許権者： 国際電信電話株式会社
代理人 (1件)： 大塚 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349694
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177476
出願日： 1992年12月02日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】集積素子を用いてトランスフォームリミッテッドな光パルスを発生することができるパルス発生装置を提供する。【構成】単一波長で連続発振する半導体レーザと、半導体レーザの出力光の強度変調を行なう半導体電気吸収型光変調器とが半導体基板上に一体集積され、半導体電気吸収型光変調器に半導体レーザの出力光を十分に消光する程度の逆方向のバイアス電圧を加えるための直流電圧発生器と、半導体電気吸収型光変調器に正弦波状電圧を加えるための正弦波電圧発生器とを備え、前記半導体電気吸収型光変調器から発生する光パルスがその包絡線波形のフーリエ変換に相当するスペクトルを有するように半導体レーザと半導体電気吸収型光変調器との間の分離抵抗の値が大きく(例えば400kΩ以上)設定された構成を有している。

請求項（抜粋）：

単一波長で連続発振する半導体レーザと、該半導体レーザの出力光の強度変調を行なう半導体電気吸収型光変調器とが半導体基板上に一体集積され、該半導体電気吸収型光変調器に前記半導体レーザの出力光を十分に消光する程度の逆方向のバイアス電圧を加えるための直流電圧発生器と、該半導体電気吸収型光変調器に正弦波状電圧を加えるための正弦波電圧発生器とを備え、前記半導体電気吸収型光変調器から発生する光パルスがその包絡線波形のフーリエ変換に相当するスペクトルに近似するスペクトルを有するように前記半導体レーザと前記半導体電気吸収型光変調器との間の分離抵抗の値が大きく設定された光パルス発生装置。