特許

J-GLOBAL ID：200903018224530430

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 西田 晶 ,  行方 均
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344334
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189876
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 大幅な素子集積度の犠牲や大幅なチップサイズの増大を招くことなく、半導体集積回路装置の信頼性を向上させることのできる。【解決手段】 1つの入力端子3に正負両方の過電圧に対応可能な保護回路1aを設けた。この場合に、正の過電圧に対する保護素子としてダイオードD1 を用い、負の過電圧に対する保護素子として主として寄生バイポーラトランジスタQ2aを用いた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された所定の半導体集積回路の入出力端子に保護回路を電気的に接続してなる半導体集積回路装置であって、前記保護回路は、ゲート電極が高電位の電源電位に設定された寄生MISトランジスタと抵抗とが、前記入出力端子と高電位の電源電位との間に直列に接続されてなる配線経路と、前記抵抗と寄生MISトランジスタとを接続する配線にベース電極が電気的に接続される寄生バイポーラトランジスタが、前記入出力端子と高電位の電源電位との間に直列に接続されてなる配線経路と、前記入出力端子と高電位の電源電位とをダイオードを介して電気的に接続する配線経路とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 311 A