特許

J-GLOBAL ID：200903018232358663

MOS半導体素子およびその制御方法

発明者： 星 保幸
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-095991
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302898
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)より小電流領域でオン電圧が小さく、しかもターンオフ時間の短い、損失の少ないMOS半導体素子を得る。【構成】IGBTのチップ内に、ひとつの広い面積のアノードショートを設ける。その部分はソース電極およびドレイン電極を共通にしたMOSFETになり、IGBTとMOSFETが並列接続された素子になる。特に、IGBT部とMOSFET部のゲート電極を分離して、IGBT部をオフした後にMOSFET部をオフする。

請求項（抜粋）：

半導体層からなる第一導電型ベース層と、その第一導電型ベース層の一方の側の表面層の一部に選択的に形成された第二導電型ベース領域と、その第二導電型ベース領域の表面層の一部に形成された第一導電型ソース領域との三層からなる三層部分と、その三層に加えて前記第一導電型べース層の他方の側の一部に設けられた第二導電型ドレイン領域を有する四層部分とを有し、三層部分と四層部分の両部分の第一導電型ベース層と第一導電型ソース領域とに挟まれた第二導電型ベース領域の表面上にゲート絶縁膜を介して堆積されたゲート電極と、前記第二導電型ベース領域と第一導電型ソース領域の表面に共通に接触するソース電極と、第一導電型ベース層の他方の側と第二導電型ドレイン領域の表面に共通に接触するドレイン電極とを有するものにおいて、前記ドレイン電極に接触する第一導電型ベース層の表面が一つであることを特徴とするMOS半導体素子。