電界効果トランジスタの結晶層構造

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-195346
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005657
出願日： 2003年06月09日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】SiC,結晶、サファイヤ結晶、シリコン結晶を結晶基板とする、GaN,AlGaNエピタキシャル結晶は、基板との結晶格子不整合による、結晶欠陥やクラック(機械的破壊)が生じる。その結果、この結晶を用いたデバイス特性が著しく低下する。【解決手段】シリコン結晶基板とGaN、AlGaNエピタキシャル動作層間にBP(リン化ボロン)結晶(キュービック結晶構造)層、さらに、GaN/AlN超格子構造層をバッファー層の上に、連続的にGaN,やAlGaN動作結晶層構造をとることにより、動作層中への結晶欠陥を低減できる。その結果、デバイスの高周波特性をはじめとするデバイス特性を大幅に改善できる。また、シリコン結晶基板の動作層部分のみ、GAN,AlGaN動作結晶層を選択的に成長することにより、動作層への結晶欠陥を低減できる。またエピタキシャル結晶成長後の基板結晶とエピタキシャル結晶界面ストレスによる結晶基板の“反り”を防ぐことができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

動作層に、GaN(窒化ガリウム),AlN(窒化アルミニューム),AlGaN(窒化アルミニュームガリウム),等の広いバンド帯幅を持つ結晶を用いた電界効果型トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)において、シリコン結晶基板とBP(Boron Phosphide)リン化ほう素結晶(キュービック構造)層を(緩和)バファー層構造とする、FETの結晶層構造、

IPC (5件)：

H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (4件)：

H01L29/80 B , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/80 H

Fターム (45件)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB15 , 5F045AB17 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045CA06 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045EE12 , 5F052DA04 , 5F052GC01 , 5F052GC03 , 5F052GC06 , 5F052JA10 , 5F052KA02 , 5F052KA03 , 5F052KA05 , 5F102FA00 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC02 , 5F102HC21

前のページに戻る