特許
J-GLOBAL ID：200903018234669550
増幅回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-138542
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224647
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 GaAsFETを用いた可変増幅器において、正の電源のみを用いかつ低利得時も雑音指数が良好な可変増幅器を提供する。【構成】 カスコードFETを用いた増幅器において、ソース接地のFET1のソース電極に正のバイアス電圧を与えて、FET1の動作点を飽和領域内にし、かつゲート接地のFET2のゲート電極の電位を、接地電位から電源電位の範囲で変化させることにより、FET2の動作点を飽和領域から線形領域の範囲内で移動させる。また、FET2のゲート電極の電位を、FET2の動作点が飽和領域となるように設定することにより、高線形の増幅回路を実現できる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極に与えられる入力信号を増幅するソース接地の第1のFETと、前記第1のFETのドレイン電極にソース電極が接続され、ドレイン電極から出力信号を出力するゲート接地の第2のFETと、前記第1のFETのゲート電極の電位が前記第1のFETのソース電極の電位に対して負電位となるようにバイアスする第1のバイアス手段と、前記第1のFETの動作点が第1のFETの飽和領域となるようにかつ前記第2のFETの動作点が第2のFETの飽和領域から線形領域の範囲で移動するように、前記第2のFETのゲート電極の電位を接地電位から電源電位の範囲内で変化させるための第2のバイアス手段と、を含む増幅回路。
IPC (3件)：
H03F 1/26
, H03F 1/22
, H03G 3/00
