特許

J-GLOBAL ID：200903018240521107

磁気素子及びその製造方法

発明者： 古川 伸治 ,  矢野 暢芳
出願人/特許権者： ユニチカ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-040955
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232142
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 小型であっても良好な磁気特性を示す磁気素子及びその磁気素子を容易に製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】 第1の薄膜2と、この第1の薄膜2よりも大きな保磁力を有する第2の薄膜3とが基板上に形成された磁気素子1であって、第2の薄膜3の保磁力より小さな交番磁界が印加されて第1の薄膜2が磁化反転しているときには連続的な磁化反転をし、第2の薄膜3の保磁力より大きな交番磁界が印加されると不連続的で急激な磁化反転をする性質を有してなることを特徴とする磁気素子1。

請求項（抜粋）：

第1の薄膜と、この第1の薄膜よりも大きな保磁力を有する第2の薄膜とが基板上に形成された磁気素子であって、第2の薄膜の保磁力より小さな交番磁界が印加されて第1の薄膜が磁化反転しているときには連続的な磁化反転をし、第2の薄膜の保磁力より大きな交番磁界が印加されると不連続的で急激な磁化反転をする性質を有してなることを特徴とする磁気素子。

IPC (4件)：

H01F 10/16 ,  G01R 33/02 ,  G01V 15/00 ,  G01V 3/40

FI (4件)：

H01F 10/16 ,  G01R 33/02 A ,  G01V 3/40 ,  G01V 3/00 E