特許

J-GLOBAL ID：200903018247655265

単結晶引き上げ装置

発明者： 加藤 浩二 ,  高木 俊
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-278965
公開番号（公開出願番号）：特開平11-116389
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：

【要約】【課題】 黒鉛ヒーターへの SiOガスの接触を防止して黒鉛ヒーターの寿命を延長することを目的とする。【解決手段】 石英ルツボ3の周囲に位置する黒鉛ヒーター4でその石英ルツボ3内のSiを加熱して溶融させ、その溶融Si中からSi単結晶を引き上げる単結晶引き上げ装置において、前記黒鉛ヒーター4と前記石英ルツボ3との間に筒状障壁8を設けたことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

石英ルツボの周囲に位置する黒鉛ヒーターでその石英ルツボ内のSiを加熱して溶融させ、その溶融Si中からSi単結晶を引き上げる単結晶引き上げ装置において、前記黒鉛ヒーターと前記石英ルツボとの間に筒状障壁を設け、その筒状障壁の表面に熱分解炭素またはガラス状炭素の被膜を形成したことを特徴とする、単結晶引き上げ装置。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/14

FI (2件)：

C30B 29/06 502 C ,  C30B 15/14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-256993
  
• 特開昭63-210088