特許
J-GLOBAL ID:200903018249576583

半導体力学量センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-007636
公開番号(公開出願番号):特開平9-196967
出願日: 1996年01月19日
公開日(公表日): 1997年07月31日
要約:
【要約】【課題】 半導体加速度センサ等の力学量センサにおいて、オフセット電圧の調整をセンサチップ上で行う。【解決手段】 おもり部3を支えるビーム4〜7に形成したピエゾ抵抗8〜15の抵抗値変化により加速度を検出する半導体加速度センサにおいて、ピエゾ抵抗8〜15と選択的に接続されて、出力信号のオフセット調整を行う調整抵抗部16、17を、おもり部3に形成した。
請求項(抜粋):
応力を受けて変位するおもり部(3)と、おもり部を支えるビーム(4〜7)と、このビームに形成されビームの変位により抵抗値が変化するピエゾ抵抗部(8〜15)と、このピエゾ抵抗部を回路要素として前記ピエゾ抵抗部の抵抗値変化に基づく信号を出力する回路部(100)とがセンサチップ(1)に形成されてなる半導体力学量センサにおいて、前記ピエゾ抵抗部と電気的に接続されて前記回路部より出力される信号のオフセット調整を行う調整抵抗部(16、17)が前記センサチップに形成されていることを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (3件):
G01P 15/12 ,  G01D 3/028 ,  G01P 21/00
FI (3件):
G01P 15/12 ,  G01P 21/00 ,  G01D 3/04 Q

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