特許
J-GLOBAL ID：200903018255660545
ガスデポジション装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-341484
公開番号（公開出願番号）：特開平7-166332
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：
【要約】[目的] 超微粒子の凝集体を含まない超微粒子膜を長時間、安定して形成させ得るガスデポジション装置を提供すること。[構成] 超微粒子生成室21から膜形成室41へ超微粒子を搬送する搬送管31と超微粒子を噴射するノズル27とを加熱すると共に、Auを収容するルツボ22を誘導加熱し、ルツボ22と搬送管31の入口端31aとの位置合せ機構を設け、搬送管31に吸引されない超微粒子の吸込管34を設け、更にHeガスはメッシュ・フィルタ式ガス導入口25を経由させて導入する。
請求項（抜粋）：
蒸発源、その上方に位置する搬送管の入口部及び不活性ガスの導入部を内蔵する超微粒子生成室と、前記搬送管と、前記搬送管の出口部、それに接続されるノズル及び該ノズルに対向して配置される基板を内蔵する膜形成室とからなり、前記蒸発源から加熱蒸発されて生成する超微粒子を前記不活性ガスと共に前記搬送管中を搬送し、前記ノズルから噴射させて、前記基板上に超微粒子の膜、あるいは圧粉体を形成させるようにしたガスデポジション装置において、前記搬送管単独、または前記搬送管と前記ノズルとの両者に加熱手段が設けられていることを特徴とするガスデポジション装置。
引用特許：
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