特許

J-GLOBAL ID：200903018261187193

半導体集積回路の基準電位供給配線方法

発明者： 堂地 国幸 ,  原山 政弘
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254686
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077611
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 クロストークが発生しない基準電位供給配線を実現、従来行なっていた機能セルの配置配線後にクロストークの可能性がある隣接配線を洗出し、修正する時間も不要に、更に、チップサイズの縮小化あるいは配線性の向上を図った半導体集積回路の基準電位供給配線方法を提供することを課題とする。【解決手段】 ECL搭載の半導体集積回路のゲートアレイの基準電位供給配線方法において、基準電位供給配線を接続する際、機能セル202の配置座標を機能セル単位でずらしながら、機能セル毎に配線位置を決定することで、基準電位供給配線と各機能セルを接続する信号配線の同一配線層が機能セル間の距離を超えて隣接しない配線を行なう方法を採用した。

請求項（抜粋）：

ECL搭載の半導体集積回路のゲートアレイの基準電位供給配線方法において、基準電位供給配線を接続する際、機能セルの配置座標を機能セル単位でずらしながら、機能セル毎に配線位置を決定することで、前記基準電位供給配線と各機能セルを接続する信号配線の同一配線層が機能セル間の距離を超えて隣接しない配線を行なうことを特徴とする、半導体集積回路の基準電位供給配線方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/118

FI (2件)：

H01L 27/04 D ,  H01L 21/82 M

Fターム (21件)：

5F038BB09 ,  5F038CA04 ,  5F038CA05 ,  5F038CD03 ,  5F038CD20 ,  5F038DF20 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA03 ,  5F064BB40 ,  5F064CC03 ,  5F064DD02 ,  5F064DD05 ,  5F064DD14 ,  5F064DD24 ,  5F064DD36 ,  5F064EE02 ,  5F064EE22 ,  5F064EE46 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-116163