特許
J-GLOBAL ID：200903018261245037
半導体装置の配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-353999
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166944
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】半導体基板上あるいは下層配線層12上の層間絶縁層16の上に酸化防止膜22を形成し、該層間絶縁層16及び酸化防止膜22に開口部18を形成した後、電気的接続を行うためのメタルプラグ26を該開口部に形成するメタルプラグ形成工程を含む半導体装置の配線形成方法において、上層配線層を高信頼性にて形成することができるような半導体装置の配線形成方法を提供する。【構成】メタルプラグ26の形成後、酸化防止膜22の一部分22Aを整形する工程を含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上あるいは下層配線層上の層間絶縁層の上に酸化防止膜を形成し、該層間絶縁層及び酸化防止膜に開口部を形成した後、電気的接続を行うためのメタルプラグを該開口部に形成するメタルプラグ形成工程を含む半導体装置の配線形成方法であって、メタルプラグの形成後、前記酸化防止膜の一部分を整形する工程を含むことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28 301
, H01L 21/318
