半導体製造装置及びシリコン酸化膜の除去方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-019721
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213673
出願日： 1996年02月06日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】良好なオーミックコンタクトを実現するポリシリコン膜を得る。【解決手段】シリコン基板3の固定されたボート4がチャンバ1内に配置される。SiH4ガス,N2ガス,TEOSガス,無水HFガスはバルブ8a〜8dによってそれぞれチャンバ1内へ導入される。バルブ6を介したポンプ7によってチャンバ1内の排気は行われる。チャンバ1はヒーター2によって加熱される。まず、N2ガス,TEOS,無水HFガスをチャンバ1内へと導入し、シリコン基板3に形成されたシリコン自然酸化膜34を取り除く。次に、チャンバ1内を排気した後にSiH4ガス,N2ガスをチャンバ1内へと導入し、シリコン基板3上にポリシリコン膜35を形成する。このプロセスにおいてはシリコン基板3とポリシリコン膜35との間にシリコン自然酸化膜34とパーティクルとが存在しないので、オーミックコンタクトの良好なポリシリコン膜35が得られる。

請求項（抜粋）：

(a)アルコキシシランと無水弗酸とから水酸基を有する第1物質を作る工程と、(b)前記第1物質と無水弗酸とからフッ素遊離基を作る工程と、(c)前記フッ素遊離基と酸化シリコンとから弗化シリコンを作る工程とを含んで成ることを特徴とするシリコン酸化膜の除去方法。

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