特許
J-GLOBAL ID:200903018271267187
1,1-ジフェニルエチレンの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
成瀬 勝夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-057299
公開番号(公開出願番号):特開2000-256225
出願日: 1999年03月04日
公開日(公表日): 2000年09月19日
要約:
【要約】【課題】 安価な原料を用いしかも効率のよい1,1-ジフェニルエチレン(DPEt)の製造方法を提供する。【解決手段】 エチレン又はポリエチルベンゼンとベンゼンをアルキル化触媒の存在下にエチル化反応させてエチルベンゼンを生成させるアルキル化工程、アルキル化工程の反応生成物を蒸留してエチルベンゼン留分及びポリエチルベンゼン留分を分離して1,1-ジフェニルエタン(DPE)と1-フェニル-1-(エチルフェニル)エタンの合計の濃度が50〜80%の高沸点留分を得る高沸点留分製造工程、この高沸点留分を蒸留に付してDPEを70〜99%含有する留分を分離するDPE製造工程、及びこのDPEを鉄系脱水素触媒の存在下に脱水素反応を行う脱水素工程から構成されるDPEtの製造方法。さらに脱水素工程の反応生成物を蒸留に付してもよい。
請求項(抜粋):
エチレン又はポリエチルベンゼンとベンゼンをアルキル化触媒の存在下にエチル化反応させてエチルベンゼンを生成させるアルキル化工程、アルキル化工程の反応生成物を蒸留してエチルベンゼン留分及びポリエチルベンゼン留分を分離して1,1-ジフェニルエタンと1-フェニル-1-(エチルフェニル)エタンの合計の濃度が50〜80%の高沸点留分を得る高沸点留分製造工程、この高沸点留分を蒸留に付して1,1-ジフェニルエタンを70〜99%含有する留分を分離する1,1-ジフェニルエタン製造工程、及びこの1,1-ジフェニルエタンを鉄系脱水素触媒の存在下に脱水素反応を行う脱水素工程から構成されることを特徴とする1,1-ジフェニルエチレンの製造方法。
IPC (4件):
C07C 5/333
, B01J 23/745
, C07C 15/50
, C07B 61/00 300
FI (4件):
C07C 5/333
, C07C 15/50
, C07B 61/00 300
, B01J 23/74 301 X
Fターム (19件):
4H006AA02
, 4H006AC12
, 4H006AC21
, 4H006AC23
, 4H006AD11
, 4H006BA09
, 4H006BA19
, 4H006BA30
, 4H006BA37
, 4H006BA60
, 4H006BA63
, 4H006BA64
, 4H006BA71
, 4H006BD60
, 4H006BD70
, 4H006DA15
, 4H039CA12
, 4H039CD10
, 4H039CF10
引用特許:
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