特許
J-GLOBAL ID：200903018281975104
赤外線式ガスセンサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231793
公開番号（公開出願番号）：特開平7-083825
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 製造が容易で、応答性が良好で、再現性が良く、分析精度の高い赤外線式ガスセンサを製造する。【構成】 界面51を介して2枚のシリコン製試料セル11、91を貼り合わせる。それぞれのシリコン製試料セル11、91には試料ガス流路120および比較ガス密閉空間130を構成する溝が形成されている。シリコン製試料セル11、91を貼り合わせて試料ガス流路120および比較ガス密閉空間130を構成し、真空引きし、比較ガス密閉空間130に不活性ガスが封入されるようにガス置換する。その後、陽極接合して2枚のシリコン製試料セル11、91を固着する。不活性ガスの封入は貼り合わせ後の真空引きごに行われるので工程が簡略化でき、しかも、正確に封入できる。封入された不活性ガスは安定に固定される。試料ガス流路120には試料ガスを導入して分析を行う。
請求項（抜粋）：
半導体部材内に密閉空間を形成し、該密閉空間に比較用不活性ガスを封入し、両端に開口を有し、試料ガスを導入する試料ガス流路が前記半導体部材に形成され、該流路の内壁に光反射膜が被着されていることを特徴する赤外線式ガスセンサ。
IPC (2件)：
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