薄膜コンデンサ及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203053
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025855
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】本発明は、2元素を主成分とする陽極酸化可能な導体薄膜、特に窒化タンタル薄膜を形成し、これを陽極酸化することにより誘電体を形成する薄膜コンデンサにおいて、加熱による漏れ電流の増大を防ぎ、かつ一定の静電容量を確保し、かつ下部電極の電気抵抗を低く抑えた、高品質・高信頼性の薄膜コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】絶縁層1上にスパッタリングにより窒化タンタル薄膜2を形成する際、窒化タンタルの膜厚方向に対して窒素濃度が変動するように所定の時間ごとにスパッタリングガス中の窒素分圧を変更して窒素濃度の異なる3層の窒化タンタル膜11〜13を形成し、これを陽極酸化することにより酸化膜を形成し、誘電体とする。

請求項（抜粋）：

2種類の元素を主成分とする陽極酸化可能な導体薄膜を形成し、該導体薄膜を陽極酸化することにより形成される酸化膜を誘電体とする薄膜コンデンサにおいて、該導体薄膜中の主成分である2元素の濃度比を該導体薄膜の膜厚方向に対して変化させたことを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (2件)：

H01G 4/33 , C23C 14/06

FI (2件)：

C23C 14/06 A , H01G 4/06 102

Fターム (22件)：

4K029BA58 , 4K029BC00 , 4K029BD00 , 4K029GA00 , 5E082AB03 , 5E082BC40 , 5E082EE05 , 5E082EE18 , 5E082EE23 , 5E082EE26 , 5E082EE37 , 5E082EE47 , 5E082FF15 , 5E082FG03 , 5E082FG27 , 5E082FG44 , 5E082FG51 , 5E082KK01 , 5E082LL01 , 5E082LL02 , 5E082MM23 , 5E082MM24

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