特許

J-GLOBAL ID：200903018287384370

不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者： 荒井 史隆 ,  丸山 徹 ,  白田 理一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237035
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087537
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】デバイス動作の高速化や駆動電圧の低電圧化など所望のデバイス動作基準を満足でき、かつリーク電流の少ないゲート絶縁膜を形成して信頼性を一層向上させることができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。【解決手段】p形シリコン基板1にゲート絶縁膜を介し浮遊ゲートが形成されたメモリセルからなる不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、前記p形シリコン基板1に不純物イオン32を注入する工程と、前記p形シリコン基板1に前記ゲート絶縁膜を形成する工程とを具備し、前記不純物イオン32を注入する工程と前記ゲート絶縁膜を形成する工程との間に、前記p形シリコン基板1を950°C以上に加熱する工程を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板にトンネル絶縁膜を介し浮遊ゲートが形成されたメモリセルからなる不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、前記半導体基板の前記トンネル絶縁膜形成領域に不純物を注入する工程と、前記不純物が注入された半導体基板に前記トンネル絶縁膜を形成する工程とを具備し、前記不純物を注入する工程と前記トンネル絶縁膜を形成する工程との間に、前記半導体基板を950°C以上に加熱する工程を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-211177
  
• 特開昭63-205964