半導体圧力センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-314407
公開番号（公開出願番号）：特開平10-153508
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】湿気や水分などの環境下でもアルミパッドが長時間腐食しないようにする。【解決手段】半導体基板1の表面にアルミパッド7が形成され、さらにアルミパッド7上にTi(チタン)/Pd(パラジウム)の2層からなるTi/Pd膜10を被覆する。さらに異物や水分から保護するために、Ti/Pd膜10上と半導体基板1上に、シリコーンゲルのような十分柔らかい樹脂を被覆する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体歪みゲージを有するダイヤフラムと、前記半導体歪みゲージが形成された半導体基板の表面に被覆された保護膜と、半導体基板上に形成された外部導出端子であるアルミパッドとを少なくとも有する半導体圧力センサにおいて、アルミパッドの表面をチタン(Ti)膜で被覆し、且つ、該チタン(Ti)膜上をパラジウム(Pd)膜で被覆することを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (3件)：

G01L 9/04 101 , G01L 1/18 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/04 101 , G01L 1/18 , H01L 29/84 B

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