特許

J-GLOBAL ID：200903018294169522

中継基板、半導体素子付き中継基板、中継基板付き基板、半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体

発明者： 今井 隆治
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 渥美 久彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-076863
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304181
出願日： 2004年03月17日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】半導体素子の接合部分に信頼性を付与でき、しかも比較的安価な半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体を提供すること。【解決手段】本発明の構造体11は、半導体素子21と中継基板31と基板41とからなる。半導体素子21は、熱膨張係数が2.0ppm/°C以上5.0ppm/°C未満であって面接続端子22を有する。基板41は、熱膨張係数が5.0ppm/°C以上であって面接続パッド46を有する。中継基板31は、中継基板本体38と複数の導体柱35とを備える。中継基板本体38は、有機絶縁材料からなる略板状の部材であり、複数の貫通孔34を有する。複数の導体柱35は複数の貫通孔34内に配置される。複数の導体柱35は、面接続端子22及び面接続パッド46に電気的に接続される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

熱膨張係数が2.0ppm/°C以上5.0ppm/°C未満であって面接続端子を有する半導体素子が実装されるべき第1面、及び第2面を有し、前記第1面及び前記第2面間を連通させる複数の貫通孔を有し、有機絶縁材料からなる略板形状の中継基板本体と、 前記複数の貫通孔内に配置され、前記面接続端子と電気的に接続されるべき複数の導体柱と を備えたことを特徴とする中継基板。

IPC (3件)：

H01L23/32 ,  H01L23/12 ,  H01R11/01

FI (3件)：

H01L23/32 D ,  H01L23/12 501B ,  H01R11/01 501G

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 中継基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-003990   出願人：日本特殊陶業株式会社