特許
J-GLOBAL ID：200903018294217209
複合半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-053669
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227941
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【目的】 トランジスタのベース・コレクタ間にクランプダイオードを接続した構造の複合半導体素子においてクランプ電圧の安定性を高める。【構成】 半導体基板にコレクタ領域21とベース領域22とエミッタ領域23とを形成すると共に複数個(3個)のダイオードのための3個のアノード領域24a、24b、24cと3個のカソード領域25a、25b、25cを設ける。3個のダイオードを直列接続し、この直列回路をトランジスタのベース・コレクタ間に接続する。クランブダイオードを複数個にしたことによって1個当りのクランプ電圧を小さくすることができ、アノード領域24a〜24cの不純物濃度を高めてクランプ電圧のバラツキを小さくし、且つ安定性を高めることができる。
請求項（抜粋）：
第1導電形を有し且つコレクタとして機能するように形成されている第1の半導体領域と、前記第1導電形と反対の第2導電形を有し且つ前記第1の半導体領域に隣接配置され且つベースとして機能するように形成されている第2の半導体領域と、第1導電形を有し且つ前記第2の半導体領域に隣接配置され且つエミッタとして機能するように形成されている第3の半導体領域と、第2導電形を有し且つ前記第2の半導体領域と同じ不純物濃度及び同じ深さに形成され且つその表面を除いた面が前記第1の半導体領域に隣接するように配置されている複数の第4の半導体領域と、第1導電形を有し且つ前記第3の半導体領域と同じ不純物濃度及び同じ深さに形成され且つその表面を除いた面が前記複数の第4の半導体領域にそれぞれ隣接している複数の第5の半導体領域と、前記第1の半導体領域に接続されたコレクタ電極と、前記第2の半導体領域に接続されたベース電極と、前記第3の半導体領域に接続されたエミッタ電極と、前記ベース電極と前記第1の半導体領域との間に前記複数の第4の半導体領域と前記複数の第5の半導体領域とから成る複数のpn接合ダイオードを直列に接続するための接続手段とから成る複合半導体素子。
IPC (5件)：
H01L 21/8222
, H01L 27/06
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/866
H01L 27/06 101 D
, H01L 29/72
, H01L 29/90 D
