特許

J-GLOBAL ID：200903018307479232

半導体発光装置及びその製造方法

発明者： 関和 哲男 ,  藤木 潤一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320444
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244456
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、高温・高湿での通電において外部出力の低下(劣化)を極力抑え、且つ、製品(ペレット)歩留りの高い半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 液相エピタキシャル成長方法の徐冷方式により、第一導電型GaAlAsクラッド層3と、発光波長を620〜940nmの範囲とするために必要なAlAs混晶比を備える第一導電型GaAlAsアクティブ層2と、第二導電型GaAlAsクラッド層1とを成長させたダブルヘテロ構造を具備し、第二導電型GaAlAsクラッド層1の表面AlAs混晶比は0.67以下であり、第一導電型GaAlAsクラッド層3の成長開始組成と前記第二導電型GaAlAsクラッド層1の成長終了組成とのAlAs混晶比差は0.3以下である。

請求項（抜粋）：

液相エピタキシャル成長方法の徐冷方式により、第一導電型GaAlAsクラッド層と、発光波長を620〜940nmの範囲とするために必要なAlAs混晶比を備える第一導電型GaAlAsアクティブ層と、第二導電型GaAlAsクラッド層とを成長させたダブルヘテロ構造を有し、前記第二導電型GaAlAsクラッド層の表面AlAs混晶比は0.67以下であり、前記第一導電型GaAlAsクラッド層の成長開始組成と前記第二導電型GaAlAsクラッド層の成長終了組成とのAlAs混晶比の差は0.3以下であることを特徴とする半導体発行装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-171775
  
• 特開平3-285346
  
• 特開昭63-169775