半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-187323
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036694
出願日： 1991年07月26日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置に関し、バンプ電極から発生するα線やそれ以外のセラミックパッケージ等から発生してバンプ電極を通過するα線がアクティブ領域へ達するのを防ぐことができ、ソフトエラー等を生じ難くして素子特性を良好にすることができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】第1の導電性層2上に開口部3を有するアクティブ領域1及びα線遮蔽膜4が形成され、該開口部3を介して該第1の導電性層2とコンタクトするように、かつ該α線遮蔽膜4上に第2の導電性層5が形成され、該開口部3上に対応する領域以外の該第2の導電性層5上に導電性バンプ6が形成されてなるように構成する。

請求項（抜粋）：

第1の導電性層(2)上に開口部(3)を有するアクティブ領域(1)及びα線遮蔽膜(4)が形成され、該開口部(3)を介して該第1の導電性層(2)とコンタクトするように、かつ該α線遮蔽膜(4)上に第2の導電性層(5)が形成され、該開口部(3)上に対応する領域以外の該第2の導電性層(5)上に導電性バンプ(6)が形成されてなることを特徴とする半導体装置。

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