特許
J-GLOBAL ID：200903018310920942
ICチップの接続方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-283594
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148493
出願日： 1994年11月17日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】Al電極上に別工程で皮膜形成を行う工程を省略しても、ICチップAl電極上の半田バンプをリフロー処理した後に過酷な環境下に晒されたAl電極の損傷を低減出来るICチップの接続方法を提供する。【構成】ICチップ4のAl電極5上に、半田ワイヤ2を用いて、Al電極5を露出させることなく半田バンプ6を形成した。半田バンプ6の接着面積S1 に対するAl電極の面積S2 の割合(S2 /S1 )は、0.1〜1.0とした。半田バンプ6にフラックスを塗布して270°Cの温度でリフロー処理を行い、Al電極5上の半田バンプ6を球状化処理し、ICチップ4と基板7を接合した。
請求項（抜粋）：
ICチップのAl電極上に半田ワイヤを用いて半田バンプを形成する第1工程と、該半田バンプにフラックスを塗布してリフロー処理によりICチップと基板を接続する第2工程からなるICチップの接続方法において、第1工程で形成された半田バンプが前記Al電極を露出させることなく形成されていることを特徴とするICチップの接続方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
