特許
J-GLOBAL ID：200903018315387096

化学気相成長による物体のエピタキシアル成長方法及び装置

発明者：
レフグレン、ペーテル

レフグレン、ペーテル について

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ハーリン、クリステル

ハーリン、クリステル について

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グ、チュン ユアン

グ、チュン ユアン について

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リュー、ユージン

リュー、ユージン について


出願人/特許権者：
エービービー リサーチ リミテッド

エービービー リサーチ リミテッド について


代理人 (1件)： 園田 吉隆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-542507
公開番号（公開出願番号）：特表2002-510598
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2002年04月09日
要約：
【要約】基板(3)上の化学気相成長による物体のエピタキシアル成長のための装置であって、該基板を受け取るためのサセプタ(5)と、基板の周辺のサセプタの壁を加熱し、それによって成長用に基板上に送り込まれる混合ガスも加熱する手段を有する。更に、内壁からある距離(a)を置いて、サセプタ内の混合ガスの経路(8)上に支持するための手段(7、10)も有する。
請求項（抜粋）：
サセプタ(5)内に配置した基板(3)上に化学気相成長によって物体をエピタキシアル成長させる方法であって、前記成長用の成分を含む混合ガスをサセプタ内の基板に供給し、サセプタを加熱することで基板及びそれに供給される混合ガスを加熱し、基板が前記混合ガスがサセプタを通過する経路上に、内壁(14、15)からある距離(a)を離して支持されることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
C30B 25/12 ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36
FI (3件)：
C30B 25/12 ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36 A
Fターム (19件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077EG03 ,  4G077EG16 ,  4G077EG20 ,  4G077HA06 ,  4G077TF05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA02 ,  4K030KA02 ,  4K030KA23 ,  4K030LA12
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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