磁気抵抗効果膜を用いたメモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394551
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197872
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】読み出し信号が大きくかつ記録密度の高いメモリを提供する。【解決手段】積層された2つの磁気抵抗効果膜に1ビットを記録し、このとき一方を抵抗が高くなる磁化配列、他方を抵抗が低くなる磁化配列とする。ただし、磁性体は垂直磁化膜である。2つの磁気抵抗効果膜は記録配線を共有可能である。磁化固定層011,014が反平行となっているため、記憶磁界の方向により、磁化自由層012,015の磁化の向きが、反平行の場合は抵抗が高くなり、平行の場合は抵抗が低くなる。

請求項（抜粋）：

非磁性膜が磁性膜に挟まれている構造を有する磁気抵抗効果膜が一対と、前記一対の磁気抵抗効果膜に磁界を印加して、各磁気抵抗効果膜の抵抗が異なる状態とし1ビットの記録を行なう第1の磁界印加手段と、前記磁気抵抗効果膜の抵抗値により生じる電位を検出するためのビット線とを有するメモリであって、前記一対の磁気抵抗効果膜は膜面法線方向に積層されていることを特徴とするメモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/14 , H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/14 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (12件)：

5E049AA01 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA07 , 5E049BA08 , 5E049CB01 , 5E049DB12 , 5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA12 , 5F083JA36

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-344274 出願人：株式会社東芝
磁気メモリおよびその記録方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-085563 出願人：シャープ株式会社
磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-015633 出願人：キヤノン株式会社

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