特許
J-GLOBAL ID：200903018324089286
電力用半導体トランジスターの過電流保護回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-205805
公開番号（公開出願番号）：特開平9-182275
出願日： 1996年08月05日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 IGBTのコレクタ-エミッター間の電圧を利用してIGBTに流れる電流を検出し、検出した電流により過電流及び短絡電流を判断して過電流及び短絡電流保護動作を遂行して、IGBTの素子を保護する。【解決手段】 パルス信号の入力信号(Vin)に応答してIGBTの駆動ゲート電圧を出力させる駆動手段と;IGBTのコレクタ-エミッター間の電流を電圧で検出する電流検出手段と;その電流検出手段の検出電圧と過電流に対する基準電圧を比較して所定時間の遅延後、駆動手段の出力をローレベルにオフさせるように制御する過電流制御手段と;電流検出手段の検出電圧と短絡電流に対する基準電圧を比較して直ちにIGBTのゲート電圧を低下させる短絡電流制御手段とから構成されたIGBT過電流保護回路を提供する。別のエミッター端子がない一般的なIGBTを使用することができ、温度変化にも適切な素子保護をする。
請求項（抜粋）：
パルス信号である入力信号(Vin)に応答して電力用半導体トランジスターの駆動ゲート電圧を出力する駆動手段と;上記電力用半導体トランジスターのコレクタ-エミッター間の電流を電圧で検出する電流検出手段と;上記電流検出手段の検出電圧と過電流に対する基準電圧を比較して所定時間の遅延後、上記駆動手段の出力をローレベルにオフさせるように制御する過電流制御手段と;上記電流検出手段の検出電圧と短絡電流に対する基準電圧とを比較して電力用半導体トランジスターのゲート電圧をダウンさせる短絡電流制御手段とから構成されたことを特徴とする電力用半導体トランジスターの過電流保護回路。
IPC (5件)：
H02H 3/10
, H02H 3/08
, H02H 3/093
, H02H 7/20
, H02M 1/00
H02H 3/10 A
, H02H 3/08 N
, H02H 3/093 A
, H02H 7/20 D
, H02M 1/00 H
