特許
J-GLOBAL ID：200903018334153063
メモリ素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-298109
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109821
出願日： 2005年10月12日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】単純な加工により、括れ形成部の表面形状に自由度を持たせたメモリ素子を提供する。【解決手段】基板1上に、互いに種類の異なる層が複数積層されて成る積層部2と、積層部2に設けられた第1の溝部8と、第1の溝部8内、および積層部2上に配置された磁性細線5と、磁性細線5にデータの記録を行なう書き込み素子6と、記録されたデータを再生する読み込み素子7と、を有する単位セルが複数接続されて成っており、データの記録により磁性細線5に形成される磁壁が、磁性細線5を流れる電流によって移動可能となっているメモリ素子において、互いに種類の異なる各層は周期的に配されており、第1の溝部内8に、互いに種類の異なる層のうちのいずれかの層に選択的に結晶粒3が設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、互いに種類の異なる層が複数積層されて成る積層部と、
上記積層部に設けられた第1の溝部と、
上記第1の溝部内、および上記積層部上に配置された磁性細線と、
上記磁性細線にデータの記録を行なう書き込み素子と、
記録されたデータを再生する読み込み素子と、を有する単位セルが複数接続されて成っており、
データの記録により上記磁性細線に形成される磁壁が、上記磁性細線を流れる電流によって移動可能となっているメモリ素子において、
上記互いに種類の異なる層の各層は、周期的に配されており、
上記第1の溝部内における、上記互いに種類の異なる層のうちのいずれかの層に選択的に結晶粒が形成されていることを特徴とするメモリ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 451
, G11C11/15 110
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083PR03
, 5F083PR06
, 5F083PR25
, 5F083ZA21
出願人引用 (2件)
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米国特許第6834005号公報(平成16年12月21日 公開)
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米国特許2004/0251232号公報(平成16年12月16日 公開)
審査官引用 (1件)
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