特許
J-GLOBAL ID：200903018335166010
磁歪検出型力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 義人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-288218
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114615
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【構成】 基板12に、円柱状の磁歪素子14およびこの磁歪素子を同軸状に挿入する円筒状の磁歪検出コイル16を接着剤等で貼り付け固定するとともに、磁性体により形成されるハウジングケース20を基板12に取付けて磁歪素子14および磁歪検出コイル16を略密封状態に収納する。このハウジングケース20には磁歪素子14の先端面と面接触する突出部28および測定対象物に当接する球状端面32を形成している。【効果】 ハウジングケース20の球状端面32で圧縮応力は分散され、磁歪素子14に過大な応力が作用せず耐衝撃性は向上する。また、磁束の漏洩はなくなり、測定精度も良くなる。
請求項（抜粋）：
磁性体で形成される基板、前記基板に設けた柱状の磁歪素子、前記磁歪素子を同軸状に挿入する筒状の磁歪検出コイル、および前記磁歪検出コイルを覆うように前記基板に設けられ、かつ前記磁歪素子の先端面に接触するハウジングケースを備える、磁歪検出型力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 41/12
, H04R 17/00 F
