表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295771
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048036
出願日： 2003年08月20日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【目的】リーク電流の少ない薄膜トランジスタを有する表示装置を提供する。【構成】半導体膜の活性層(504)には、TFTの外形が略相似とされた電極が同心円状に配置されている。円形の電極(501)の外側を囲むように、ゲイト電極(502)、円環の一部が欠けた形状の電極(503)が配置されている。電極(501)はゲイト電極を構成する配線金属とは異なる層に配置され、電極(501)と電極(503)は同一層の配線金属で構成される。電極(501)と電極(503)は、いずれか一方をソース電極とし、他方をドレイン電極とする。これにより、活性層(504)のエッジがソース電極とドレイン電極とを結ぶ線上に存在しないため、ドレイン電極とソース電極とが、ゲート電極によって短絡されない構成となる。この結果、リーク電流を減少させることができる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ゲイト電極がドレイン電極を囲むように配置され、前記ゲイト電極の外側に、前記ゲイト電極をほぼ囲むようにソース電極が配置された構造の薄膜トランジスタを画素薄膜トランジスタとして有することを特徴とする表示装置。

IPC (5件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/41 , H01L29/417

FI (7件)：

H01L29/78 617K , G02F1/1368 , G09F9/30 338 , H01L29/78 616T , H01L29/44 P , H01L29/44 L , H01L29/50 M

Fターム (55件)：

2H092JA24 , 2H092JA29 , 2H092JA34 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JB56 , 2H092JB57 , 2H092JB61 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA19 , 2H092MA29 , 2H092NA21 , 2H092NA22 , 4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104FF01 , 4M104FF11 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5C094AA13 , 5C094AA25 , 5C094AA31 , 5C094AA48 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA25 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094FA01 , 5F110AA06 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110EE24 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG23 , 5F110HL07 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110PP01 , 5F110PP24 , 5F110PP34 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭64-082674
特開昭60-189969
特開昭62-145288

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