特許
J-GLOBAL ID：200903018337669877
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015242
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232656
出願日： 1993年02月02日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 その出力信号レベルが出力信号自身の電位変化や電源電圧の電位変動の影響を受けにくい出力バッファを実現する。これにより、出力バッファを含む高速光通信用集積回路ひいては光通信システム等の高性能化を推進する。【構成】 高速光通信用集積回路等に搭載されデプレッション型FETを基本構成とする複数段のソースフォロア回路を含む出力バッファにおいて、各段のソースフォロア回路を構成する信号伝達用FETJ5及びJ8と定電流源用FETJ7及びJ10との間に、そのゲートに所定の定電圧VB3を受けるカスコード用FETJ6及びJ9をそれぞれ設ける。
請求項（抜粋）：
第1の電源電圧と出力ノードとの間に設けられる信号伝達用FETと、上記出力ノードと第2の電源電圧との間に直列形態に設けられそのゲートに所定の定電圧を受けるカスコード用FETならびに定電流源用FETとを含むソースフォロア回路を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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