特許

J-GLOBAL ID：200903018344627411

半導体集積回路装置の製造方法およびそれに用いる縦型熱処理装置

発明者： 大坪 宏 ,  土山 洋史 ,  小坂 雄二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288460
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129214
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 ウエハボートに搭載されたウエハが片持ち状態とならない縦型熱処理装置を提供する。【構成】 外径がウエハ8の直径よりも僅かに大きく、かつ内径がウエハ8の直径よりも僅かに小さい円筒部14にウエハ8を出し入れするための溝17を設け、この溝17を通じて円筒部14に挿入されたウエハ8の周辺部の大部分を円筒部14の断面で支持するように構成したウエハボート2を有する縦型熱処理装置である。

請求項（抜粋）：

外径が半導体ウエハの直径よりも僅かに大きく、かつ内径が前記半導体ウエハの直径よりも僅かに小さい円筒部に前記半導体ウエハを出し入れするための溝を設け、前記溝を通じて前記円筒部に挿入された前記半導体ウエハの周辺部の大部分を前記円筒部の断面で支持するように構成したウエハボートを有する縦型熱処理装置を用いて熱処理を行う工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-229932
  
• 特開昭63-217622