高周波増幅集積回路装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278744
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121127
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】従来例に比較して、利得のバラツキを小さくでき、かつ安価に製造することのできる高周波増幅集積回路装置を提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成され、複数の第1の電極と複数の第2の電極と少なくとも1つの第3の電極とを有し、複数の第1の電極のうちの1つがキャパシタを介して接地されたトランジスタとを備え、複数の第2の電極に入力される高周波信号をトランジスタにより増幅されて第3の電極から出力される高周波増幅集積回路装置において、複数の第1の電極のうちの2つの第1の電極をそれぞれキャパシタを介して接地し、上記2つのキャパシタの静電容量値を互いに異なる値に設定した。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板上に形成され、複数の第1の電極と複数の第2の電極と少なくとも1つの第3の電極とを有し、上記複数の第1の電極のうちの1つがキャパシタを介して接地されたトランジスタとを備え、上記複数の第2の電極に入力される高周波信号を上記トランジスタにより増幅されて上記第3の電極から出力される高周波増幅集積回路装置において、上記複数の第1の電極のうちの少なくとも2つの第1の電極はそれぞれキャパシタを介して接地されたことを特徴とする高周波増幅集積回路装置。

IPC (4件)：

H03F 3/195 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H03F 3/55

FI (3件)：

H03F 3/195 , H03F 3/55 , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭55-086208
特開昭59-174006
高周波回路構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-086234 出願人：株式会社ヨコオ

前のページに戻る