特許

J-GLOBAL ID：200903018350442075

InPベースの半導体

発明者： ブライアン・ティー・マクダーモット
出願人/特許権者： ロックウェル・インターナショナル・コーポレイション
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-310332
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335588
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【課題】 InPベースの半導体材料に適合可能なp型の半導体を提供する。【解決手段】 p型の半導体は、炭素ドープのガリウムヒ素アンチモン(GaAsSb:C)で形成される。Gaにトリエチルガリウムまたはトリメチルガリウム、Asに第三級ブチルアルシン、トリメチルヒ素またはアルシン、Sbにトリメチルアンチモン、トリエチルアンチモンまたはスチビン、Cに四塩化炭素、四臭化炭素、トリメチルガリウムまたはトリメチルヒ素のようなソース材料を用いて、金属有機化学気相成長(MOCVD)により炭素ドープのGaAsSbは製作可能である。もし所望されれば、1×1020cm-3を超える活性炭素濃度がGaAsSb内で達成可能である。したがって、InPベースの半導体材料に適合可能なp型の半導体において、高正孔濃度を提供できる。

請求項（抜粋）：

InPベースの半導体材料の層(12,20,22)と、前記InPベースの材料の層(12,20,22)の上に形成された炭素ドープのGaAsSbのエピタキシャル層(24,42)とを含む、InPベースの半導体。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205