特許

J-GLOBAL ID：200903018355403795

極異方性希土類ボンド磁石の磁場成形方法および磁場成形装置

発明者： 石橋 利之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-265877
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115754
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【解決手段】 永久磁石を磁場発生源とし、磁気回路の高さと内径の比を1以上としたり、軟磁性材料の高さを永久磁石のそれより低くするなどして、7.5kG以上の極異方性配向磁場を発生する磁気回路を用いた極異方性希土類ボンド磁石の磁場成形方法、または上記磁気回路と成形装置と成形金型からなる磁場成形装置。【効果】 得られる極異方性希土類ボンド磁石の表面磁束を大幅に向上することができ、その応用製品の高性能・小型化が実現できる。また、装置が単純、小型、静かになり、ランニングコストも不要となる。

請求項（抜粋）：

磁性粉末とバインダーの混合物を、配向させ、成形する異方性希土類ボンド磁石の磁場成形工程において、7.5kG以上の極異方性配向磁場を発生している永久磁石を磁場発生源とする磁気回路を用いて配向させることを特徴とする極異方性希土類ボンド磁石の磁場成形方法。

IPC (4件)：

H01F 41/02 ,  H01F 1/053 ,  H01F 1/08 ,  H01F 13/00

FI (4件)：

H01F 41/02 G ,  H01F 13/00 P ,  H01F 1/04 H ,  H01F 1/08 A