半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-292162
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124411
出願日： 1998年10月14日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】スペースの無駄を招くことなく、LSIからの不要電磁輻射を抑制する。ペロブスカイト結晶薄膜形成後の工程におけるメモリの誘電体のダメージを低減する。【解決手段】メモリセル4上部に該メモリセル4を被覆するように、下部電極6c、誘電体層7及び上部電極6dからなる第2の薄膜キャパシタ12を形成する。この薄膜キャパシタ12をチップ内の必要な部分に電気的に接続することにより不要電磁輻射抑制用薄膜キャパシタが内蔵されたシステムLSIが得られる。

請求項（抜粋）：

第1の薄膜キャパシタを備えるメモリ部を少なくとも有する半導体素子において、上記メモリ部の上部に、層間絶縁層を介して、第2の薄膜キャパシタ層を有し、上記第2の薄膜キャパシタ層は、下部電極、誘電体膜及び上部電極を備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 27/10 461 , G06K 19/07 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H05K 9/00

FI (5件)：

H01L 27/10 461 , H05K 9/00 Q , G06K 19/00 H , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 681 E

Fターム (25件)：

5B035AA04 , 5B035AA08 , 5B035AA11 , 5B035AA13 , 5B035BA04 , 5B035BA05 , 5B035BB09 , 5B035CA12 , 5B035CA23 , 5B035CA38 , 5E321AA17 , 5E321AA32 , 5E321BB23 , 5E321GG05 , 5F083AD14 , 5F083FR02 , 5F083GA14 , 5F083GA30 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083PR22 , 5F083PR40 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA30

引用特許：

審査官引用 (6件)

ICカード
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-051917 出願人：日本電信電話株式会社
半導体メモリセル及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-205800 出願人：ソニー株式会社
不揮発性強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-011936 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝

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