特許

J-GLOBAL ID：200903018360716190

半導体装置の製造方法

発明者： 廣田 俊幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279520
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121654
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】容量絶縁膜の薄膜化を行うものである。【構成】アンモニア雰囲気中での急速加熱処理により、下部電極2と自然酸化膜7の間に熱窒化膜4を形成する。この後、エッチングにより自然酸化膜7を除去する。次に減圧CVDによりCVD窒化膜5を成長する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に多結晶シリコン膜からなる下部電極を形成する工程と、アンモニア雰囲気中で急速加熱し前記下部電極表面に第1の窒化シリコン膜を形成したのち表面の自然酸化膜をエッチングする工程と、CVD法により前記第1の窒化シリコン膜上に第2の窒化シリコン膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。