特許
J-GLOBAL ID：200903018364177927
整流回路および半導体集積回路並びにICカード
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009396
公開番号（公開出願番号）：特開平10-210751
出願日： 1997年01月22日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 ダイオード接続のMOSFETを使用した従来の整流回路にあっては、MOSダイオードがオンされている状態におけるゲート・ソース間電圧が1〜2Vと低いため、負荷電流が大きいときの整流効率を向上させるにはMOSダイオードのサイズを大きくしてオン抵抗を下げてやらなければならず、半導体集積回路化を図る上で不利であった。【解決手段】 ダイオードブリッジを構成する素子のうち少なくとも出力側の一対の素子をMOSFET(Q1,Q2)で構成するとともに電力の供給を受けるコイルの両端子(T1,T2)の内側に別途中間端子(TP1,TP2)を設け、その中間端子(TP1,TP2)を上記MOSFET(Q1,Q2)のドレインに接続しコイルの外側の両端子(T1,T2)を上記MOSFET(Q1,Q2)のゲートに接続するようにした。
請求項（抜粋）：
ダイオードブリッジを構成する素子のうち少なくとも出力側の一対の素子がMOSFETで構成され、これらのMOSFETの各ゲート端子に電力の供給を受けるコイルの両端子がそれぞれ接続され、上記MOSFETの各ドレイン端子に上記コイルの内側に設けられた一対の中間端子がそれぞれ接続されるように構成されてなることを特徴とする整流回路。
IPC (6件)：
H02M 7/219
, G06K 17/00
, G06K 19/07
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H04B 5/00
H02M 7/219
, G06K 17/00 F
, H04B 5/00 Z
, G06K 19/00 H
, H01L 27/08 321 L
