特許
J-GLOBAL ID：200903018366584139
位相シフトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060924
公開番号（公開出願番号）：特開平11-316453
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 耐酸性、耐光性、導電性、屈折率(膜厚)、透過率、位相シフト量及びエッチング選択性などの膜特性に優れた光半透過部を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】 位相シフトマスクの製造方法であって、透明基板1上に、光半透過部を構成する薄膜として、窒素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなり、該物質の構成要素たるシリコンを34〜60原子%含む光半透過薄膜3aを形成する工程と、前記光半透過薄膜上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記光半透過薄膜をエッチングすることにより所望のパターンを得た後、硫酸洗浄を行う工程を有する。
請求項（抜粋）：
透明基板上に形成する薄膜パターン(マスクパターン)を、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を透過した光の位相をシフトさせて、該光半透過部を透過した光の位相と前記光透過部を透過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを向上させる位相シフトマスクの製造方法であって、前記透明基板上に、前記光半透過部を構成する薄膜として、窒素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなり、該物質の構成要素たるシリコンを34〜60原子%含む光半透過薄膜を形成する工程と、前記光半透過薄膜上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記光半透過薄膜をエッチングすることにより所望のパターンを得た後、硫酸洗浄を行う工程を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
