特許
J-GLOBAL ID：200903018367644160
気相成長方法およびその方法を適用した気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-351900
公開番号（公開出願番号）：特開平11-180796
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1999年07月06日
要約：
【要約】【課題】 基板上に薄膜を気相成長させるための反応炉内において、反応炉内の温度プロファイルを簡易に制御して基板上の薄膜成長温度を調整し得る気相成長方法およびその方法を適用した気相成長装置を提供する。【解決手段】 薄膜を気相成長させるための反応炉1内に設けられるサセプタ(カーボンサセプタ2)上に基板(GaAs基板1)を載置し、その基板表面に原料となるガスを供給して薄膜を形成する気相成長装置(縦型フェースアップ多数枚MOCVD装置R)において、前記サセプタと対向する位置に、同心円状に分割された冷却流路(水冷ジャケットC1〜C6)が形成され、各冷却流路へ流通される冷却媒体の流量と温度の少なくとも何れかを制御して、反応炉内の温度プロファイルを適宜調整する冷却制御装置が設けられる構成とした。
請求項（抜粋）：
薄膜を気相成長させるための反応炉内に設けられるサセプタ上に基板を載置し、その基板表面に原料となるガスを供給して薄膜を形成する気相成長方法であって、前記反応炉の冷却系を前記サセプタに対向する位置に同心円状に分割して配置し、当該各冷却系へ流通させる冷却媒体の流量と温度の少なくとも何れかを制御することにより、反応炉内の温度プロファイルを適宜調整するようにしたことを特徴とする気相成長方法。
IPC (4件)：
C30B 25/10
, C23C 16/52
, C30B 25/16
, H01L 21/205
C30B 25/10
, C23C 16/52
, C30B 25/16
, H01L 21/205
