特許

J-GLOBAL ID：200903018368261078

剥離剤組成物

発明者： 代田 真美 ,  田村 敦司
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-022031
公開番号（公開出願番号）：特開2003-223010
出願日： 2002年01月30日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】タングステン又はタングステン合金の配線又は電極と、アルミニウム又はアルミニウム合金の配線とのどちらにも共通に使用可能な、デポ剥離性に優れ、半導体素子やLCD上の金属配線や金属薄膜等の各種部材に対する腐食防止効果に優れた剥離剤組成物及び該剥離剤組成物を使用するデポの剥離方法を提供すること。【解決手段】(a)n価の塩基酸の第n段目の酸解離指数pKan (25°C)が3以上11以下である酸及び/又はその塩と、(b)水と、(c)分子中に窒素原子を含むキレート剤とを含有し、pHが6以上11以下であり、少なくとも(A)タングステン又はタングステン合金の配線又は電極と(B)アルミニウム又はアルミニウム合金の配線とを備える半導体の製造工程において使用される剥離剤組成物、並びに該剥離剤組成物を使用して基板上のデポを剥離する方法。

請求項（抜粋）：

(a)n価の塩基酸の第n段目の酸解離指数pKan (25°C)が3以上11以下である酸及び/又はその塩と、(b)水と、(c)分子中に窒素原子を含むキレート剤とを含有し、pHが6以上11以下であり、少なくとも(A)タングステン又はタングステン合金の配線又は電極と(B)アルミニウム又はアルミニウム合金の配線とを備える半導体の製造工程において使用される剥離剤組成物。

IPC (10件)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/60 ,  C11D 17/00 ,  C11D 17/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/308

FI (10件)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/60 ,  C11D 17/00 ,  C11D 17/08 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/308 F ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (24件)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096LA03 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB03 ,  4H003EA16 ,  4H003EA18 ,  4H003EA23 ,  4H003EB07 ,  4H003EB13 ,  4H003EB16 ,  4H003ED02 ,  4H003ED29 ,  4H003ED31 ,  4H003ED32 ,  4H003FA21 ,  4H003FA28 ,  5F043AA24 ,  5F043AA26 ,  5F043BB16 ,  5F043BB18 ,  5F043GG02 ,  5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レジスト用剥離液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-276504   出願人：東京応化工業株式会社
• レジスト用剥離液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179872   出願人：東京応化工業株式会社