特許

J-GLOBAL ID：200903018378487929

低誘電率絶縁膜とその形成方法、及びそれを用いた半導体装置

発明者： 片山 倫子 ,  福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  山口 城
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-205648
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054498
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路の多層配線構造において有用な低誘電率で且つ金属配線に対する密着力の向上したフルオロカーボン系の新しい絶縁膜とその形成方法、及びその絶縁膜を使用した半導体装置を提供する。【解決手段】 この絶縁膜は、フルオロカーボンポリマー層と、このフルオロカーボンポリマー層と隣接配線層との間に介在する、フッ素置換した有機基を含有している有機珪素ポリマーの層とからなる。この絶縁膜を形成する際には、出発有機珪素ポリマーを製膜してからフッ素化処理して、出発有機珪素ポリマーの有機基の少なくとも一部をフッ素置換することにより、フッ素置換した有機基を含有している有機珪素ポリマー層を形成する。

請求項（抜粋）：

金属配線層と絶縁層とを積層した多層配線構造における絶縁層を構成する膜であって、フルオロカーボンポリマー層と、このフルオロカーボンポリマー層と当該配線層との間に介在する、フッ素置換した有機基を含有している有機珪素ポリマーの層とからなることを特徴とする絶縁膜。

IPC (4件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  C08G 77/60

FI (4件)：

H01L 21/314 M ,  H01L 21/312 N ,  C08G 77/60 ,  H01L 21/90 S