特許

J-GLOBAL ID：200903018385979624

浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 山岸 万千雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-264589
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107158
出願日： 1994年10月04日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】 書き込みを高速で行うことができるにも拘らず、読み出しも高速且つ安定的に行うことができる様にする。【構成】 拡散層15の表面にシリサイド膜26が設けられており、層間絶縁膜27上に設けられていて面積の広い多結晶Si膜21bが多結晶Si膜21aと導通しており、ONO膜22を介して多結晶Si膜23が多結晶Si膜21bと対向している。このため、多結晶Si膜21a、21bと多結晶Si膜23との間の容量C2 に対するSi基板11と多結晶Si膜21a、21bとの間の容量C1 の比C1 /C2 が小さく、且つ拡散層15のシート抵抗も低い。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜上に第1の浮遊ゲートが設けられており、ソース/ドレインの表面にシリサイド膜が設けられており、前記ソース/ドレイン上を覆うと共に前記第1の浮遊ゲートの一部分を露出させている層間絶縁膜が設けられており、前記第1の浮遊ゲートよりも面積が広く且つ前記一部分を介して前記第1の浮遊ゲートと導通している第2の浮遊ゲートが前記層間絶縁膜上に設けられており、容量結合用絶縁膜を介して制御ゲートが前記第2の浮遊ゲートと対向していることを特徴とする浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434