特許

J-GLOBAL ID：200903018386692469

半導体表示装置

発明者： 佐野 景一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-021846
公開番号（公開出願番号）：特開2003-223120
出願日： 2002年01月30日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】アクティブマトリクス方式にて駆動される表示装置の高速応答性や制御性を低下させることなく、各画素の開口率を向上させることのできる半導体表示装置を提供する。【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子を発光体とする表示装置をアクティブマトリクス方式にて駆動するために、1つの画素についてその画素駆動部に駆動用薄膜トランジスタ(TFT)22と画素スイッチング用(SW用)TFT21とを備える。この表示装置は、ガラス基板41上に形成した積層膜により構成されており、駆動用TFT22がボトムゲート構造を、SW用TFT21がトップゲート構造を有する。駆動用TFT22のゲート絶縁膜は厚く、またSW用TFTのゲート絶縁膜は薄く形成されている。

請求項（抜粋）：

表示装置基板上に形成された画素毎に、駆動回路から付与される走査信号に基づいてスイッチング動作を行う画素スイッチング用薄膜トランジスタと、このスイッチング動作に基づいて画素を駆動する駆動用薄膜トランジスタとを備える半導体表示装置において、前記画素スイッチング用薄膜トランジスタと前記駆動用薄膜トランジスタとのうち、一方がトップゲート構造に、他方がボトムゲート構造に形成されてなることを特徴とする半導体表示装置。

IPC (5件)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14

FI (5件)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 618 Z

Fターム (54件)：

3K007AB02 ,  3K007AB11 ,  3K007AB17 ,  3K007DB03 ,  3K007GA04 ,  5C094AA10 ,  5C094AA13 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FB15 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF40 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ12