レジスト用樹脂、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西村征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207500
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020426
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】略220nm以下の波長の遠紫外線に対する光透明性が高く、エッチング耐性が高く、且つ基板密着性の優れたレジスト用樹脂、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】開示されるレジスト用樹脂は、酸の作用により酸分解性基が分解しアルカリ水溶液への溶解度が増大し、一般式(1)で表される脂環式ラクトン構造を主鎖に有している。【化1】(1)(上式において、Zはラクトン構造を有する脂環式炭化水素基である。)

請求項（抜粋）：

酸の作用により酸分解性基が分解しアルカリ水溶液への溶解度が増大するレジスト用樹脂であって、主鎖に脂環式ラクトン構造を有することを特徴とするレジスト用樹脂。

IPC (6件)：

C08F 34/02 , C08F220/10 , C08F222/06 , C08G 61/08 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (6件)：

C08F 34/02 , C08F220/10 , C08F222/06 , C08G 61/08 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (43件)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF11 , 2H025BF29 , 2H025BG00 , 2H025CB43 , 2H025FA17 , 4J032CA43 , 4J032CA45 , 4J032CB04 , 4J032CB05 , 4J032CB12 , 4J032CC03 , 4J032CD02 , 4J032CD03 , 4J032CD04 , 4J032CF03 , 4J100AK32R , 4J100AL08Q , 4J100AR09Q , 4J100AR11Q , 4J100AR32P , 4J100BA03Q , 4J100BA04Q , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA11P , 4J100BA15Q , 4J100BA20Q , 4J100BC04Q , 4J100BC07Q , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC53Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-024527 出願人：ダイセル化学工業株式会社

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