相異なる厚さのゲート酸化膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-349138
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238810
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】回路の性能を極大化させるように、単純なイオン注入による損傷層形成でゲート酸化膜の厚さが調節できる酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】ノーマル動作領域と高電圧動作領域を有する半導体基板10上に素子隔離膜12を形成し、半導体基板10上に高電圧動作領域14が露出されるようにフォトレジスト膜パターン16を形成した後、フォトレジスト膜パターン16をマスクとして使用してシリコンで形成された半導体基板に対して電気的に非活性原子であるシリコン17をイオン注入する。フォトレジスト膜パターン16を取り除いて、各領域に各々のゲート酸化膜20を形成する。この際、高電圧動作領域のゲート酸化膜はシリコンのイオン注入により損傷層が形成されてノーマル電圧動作領域のゲート酸化膜より相対的に厚く形成する。

請求項（抜粋）：

第1領域と第2領域とを有する半導体基板上に活性領域と非活性領域を定義するよう素子隔離膜を形成する段階と、前記半導体基板上に前記第2領域が露出されるようにフォトレジスト膜パターンを形成する段階と、前記フォトレジスト膜パターンをマスクとして使用して前記第2領域に電気的に非活性である原子をイオン注入する段階と、前記フォトレジスト膜パターンを取り除く段階と、前記第1領域及び第2領域に各々ゲート酸化膜を形成する段階とを含み、前記第2領域のゲート酸化膜が前記第1領域のゲート酸化膜より厚く形成されることを特徴とする相異なる厚さのゲート酸化膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 681 F

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