特許

J-GLOBAL ID：200903018397915877

薄葉化ウェハーの製造法

発明者： 大矢 和行 ,  田中 功
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
代理人 (1件)： 永井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224008
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037155
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】回路面に樹脂の絶縁膜や保護膜がある場合にも、ウェハーと接着フィルムとの界面で剥離できるバックグラインド法を提供する。【解決手段】半導体ウェハー(a)の回路面(A面)と保持基板(b)を接着フィルム(c)で接着した後、半導体ウェハーの裏面(B面)を研削、研磨してウェハーを薄葉化し、所望により該面(B面)の金属化などした後に、薄葉化ウェハーを保持基板(b)から剥離することからなる薄葉化ウェハーの製造法において、接着フィルム(c)として表裏面のガラス転移点又は融点の異なる熱可塑性樹脂フィルムを、該半導体ウェハー(a)の回路面(A面)側をガラス転移点又は融点の高い熱可塑性樹脂側(表側)として用いて接着することを特徴とする薄葉化ウェハーの製造法。【効果】接着フィルムとして表裏面のガラス転移点又は融点の異なる熱可塑性樹脂フィルムを用いることにより、回路面に樹脂の絶縁膜や保護膜がある場合にも、剥離できる半導体ウェハーの薄層化が実施できた。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハー(a)の回路面(A面)と保持基板(b)を接着フィルム(c)で接着した後、半導体ウェハーの裏面(B面)を研削、研磨してウェハーを薄葉化し、所望により該面(B面)の金属化などした後に、薄葉化ウェハーを保持基板(b)から剥離することからなる薄葉化ウェハーの製造法において、接着フィルム(c)として表裏面のガラス転移点又は融点の異なる熱可塑性樹脂フィルムを、該半導体ウェハー(a)の回路面(A面)側をガラス転移点又は融点の高い熱可塑性樹脂側(表側)として用いて接着することを特徴とする薄葉化ウェハーの製造法。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  C09J 7/00 ,  C09J201/00 ,  H01L 21/304 622

FI (4件)：

H01L 21/68 N ,  C09J 7/00 ,  C09J201/00 ,  H01L 21/304 622 J

Fターム (35件)：

4J004AA06 ,  4J004AA07 ,  4J004AA08 ,  4J004AA09 ,  4J004AA10 ,  4J004AA15 ,  4J004AA16 ,  4J004BA02 ,  4J004BA03 ,  4J004BA05 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040DA021 ,  4J040DA101 ,  4J040DB031 ,  4J040DE021 ,  4J040DF001 ,  4J040ED041 ,  4J040EG001 ,  4J040EH022 ,  4J040EL021 ,  4J040JA09 ,  4J040JB01 ,  4J040LA02 ,  4J040MA01 ,  4J040NA20 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA12 ,  5F031HA32 ,  5F031HA37 ,  5F031MA22 ,  5F031PA09 ,  5F031PA20