特許

J-GLOBAL ID：200903018403603416

ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法

発明者： 野津 哲郎 ,  本郷 禎人 ,  杉山 亨 ,  栗山 保彦 ,  津田 邦男 ,  森塚 宏平
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072308
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274168
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、表面形態を劣化させずに、ベース層中の水素を脱離させる。【解決手段】p型ベース層14、n型エミッタ層15、n型GaAs層16、n型エミッタコンタクト層17を順次が積層された試料上に、WN膜18及び膜厚200nmのW膜19をスパッタ法によって順次形成する(図1(b))。そして、形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタ基板10を窒素雰囲気中で5分間675°Cの熱処理を行う。熱処理後、エミッタ領域を覆うSiO2 膜をマスクとして、W膜19/WN膜18をCF4 ,O2 ガスを用いたRIE法により除去して電極を形成する。(図1(c))。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上に第1導電型の第1の半導体層、第2導電型のベース層及び第1導電型の第2の半導体層が積層されたヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法において、第2の半導体層上に高融点金属の珪化物又は窒化物を形成する工程と、前記高融点金属の珪化物又は窒化物上に、該高融点金属を形成する工程と、表面に前記高融点金属の珪化物又は窒化物,及び前記高融点金属が形成された第2の半導体層を少なくとも加熱する工程と、この加熱する工程の後に、前記高融点金属、並びに該高融点金属の珪化物又は窒化物をパターニングし、電極を形成する工程とを含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/26 ,  H01L 29/205

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/26 F ,  H01L 29/205