特許

J-GLOBAL ID：200903018405203660

誘電体セラミツクの製造方法

発明者： 言上 惠一 ,  上野 守章 ,  中津川 雅彦 ,  川村 文男
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-118899
公開番号（公開出願番号）：特開平5-077213
出願日： 1991年05月23日
公開日（公表日）： 1993年03月30日
要約：

【要約】【構成】 複数の原材料を混合した後、焼結可能温度より低い温度で仮焼成し、次に、仮焼成した材料を第1の粉体に粉砕した後、第1の粉体にバインダを加圧・加熱状態で混練する。次に、混練後の材料を第2の粉体に粉砕した後、第2の粉体を加圧・加熱して金型内に射出して成形する。そして、成形品を中程度の温度で加熱してバインダを酸化させて徐々に除去した後、焼成し、その後、必要に応じて研磨・切削加工を施す。【効果】 誘電体セラミックの強度が一様になり、脆さが軽減され、周波数調整が短時間で済み、不良も発生しにくい。焼成時の収縮が各部で一様になり、形状が歪まず、設計値通りの誘電体セラミックが得られ、納期の短縮とコストの低減が図れる。また、誘電率が一様になり、原材料の歩留まりが高い。さらに、形状に自由度があり、入出力間のアイソレーションを大きく取れる設計ができる。

請求項（抜粋）：

複数の原材料を均一に分散するように混合した後、焼結可能な温度よりも低い温度で仮焼成し、次に、仮焼成した材料を微細な粒径の第1の粉体に粉砕した後、前記第1の粉体に有機体のバインダを加圧・加熱状態で混練し、次に、バインダ混練後の材料を微細な粒径の第2の粉体に粉砕した後、前記第2の粉体を加圧・加熱して金型内に射出して成形し、次に、成形品を、中程度の温度で加熱して前記バインダを酸化させて徐々に除去した後、焼結可能な温度で焼成し、その後、必要に応じて研磨・切削加工を施すことを特徴とする誘電体セラミックの製造方法。

IPC (6件)：

B28B 1/24 ,  B28B 17/02 ,  C04B 35/00 ,  C04B 35/00 108 ,  C04B 35/64 301 ,  H01B 3/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭63-050300
  
• 特開昭63-040212